原标题：三星宣布推出1Z纳米制程DRAM，2019+年下半年开始大量生产

 

　　在动态随机存取存储器（DRAM）制程陆续进入+1X+及+1Y+制程领域之后，全球+DRAM+龙头三星+21+日宣布，首次业界开发第+3+代+10+纳米等级（1Z+纳米制程）8GB+高性能+DRAM。这也是三星发展+1Y+纳米制程+DRAM+之后，经历+16+个月，再开发出更先进制程的+DRAM+产品。

 

　　据了解，新一代+1Z+纳米制程+DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机（EUV）的情况下打造，这显示三星进一步提高了+DRAM+的生产极限，并拉高竞争对手的生产门槛。

 

　　随着+1Z+纳米制程产品问世，并成为业界最小的存储器生产节点，目前三星已准备好用新的+1Z+纳米制程+DDR4+DRAM+满足日益成长的市场需求，生产效率比以前+1Y+纳米等版+DDR4+DRAMUL4+高+20%+以上。

 

　　三星表示，1Z+纳米制程+8GB+DDR4+DRAM+的正式大量生产时间将落在+2019+下半年，以应对下一代企业服务器需求，并有望能在+2020+年支援新高阶个人计算机。

 

　　除了提供市场需求，三星还指出，跨入+1Z+纳米制程的+DRAM+生产，将为全球+IT+加快朝向下一代+DRAM+界面，包括+DDR5、LPDDR5+和+GDDR6+等预做准备。

 

　　这些具更高容量和性能的+1Z+纳米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其高阶+DRAM+市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。

 

　　另市场消息指出，与一家+CPU+制造商就+8GB+DDR4+模块全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将面世的存储器解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要存储器生产比重。